Transistores

Angel Uriel Alfonso Ronzón 9/ junio / 2013

Transistores BJT.
El transistor de unión bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnología en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de transistores mas usados en la actualidad.
Características.
Un transistor posee tres terminales (base, colector y emisor)las cuales se muestran en la ilustración de la representación esquemática de un transistor PNP y NPN respectivamente.






Funcionamiento.
Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son: Region activa, region de saturación y región de ruptura; Cuando un transistor BJT trabaja en región activa, quiere decir que está trabajando comoamplificador de una señal (Corriente o voltaje), esta región de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequeña en comparación a la de colector y emisor (que son parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN). Mientras que la región de corte indica que el transistor prácticamente esta apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A.Por último, un transistor de unión bipolar está saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud de la corriente depende de la tensión de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.





Aplicaciones.
En particular para un transistor que funcione como amplificador de una señal -Trabajando en modo activo-, hay ciertas ecuaciones quemodelan su funcionamiento: IC= βiB , Ic= αIE, α =β/(β+1). Ellas confirman lo dicho anteriormente, puesto que β en magnitud es relativamente grande y α un valor cercano a la unidad. Podemos analizar que sucede si introducimos a la entrada una señal AC, para ello se introduce un parámetro esencial que se denomina transconductancia (gm) - La cual en esencia es la pendiente de una aproximación lineal delcomportamiento exponencial del transistor-.
1.- Amplificador de pequeña señal que es lo mas dificil en cualquier sistema

2.-Amplificador de gran señal o potencia actualmente existen mas BJT de alta potencia que FET.

3.- Switch prende y apaga rapidamente, etc
con otras palabras aplicaciones Analogas y Digitales, casi todas las aplicaciones son para el, solo lo superan los fet por su altaimpedancia de entrada que es como si no molestaran a los circuitos que le dan señal como si no estubieran conectados y el bjt presenta una resistencia para acoplar señales, esto pone un poco de reto al diseñador ya que le exige mas de un paso para que la señal logre un valor considerable sin elevar la carga en la entrada o que es lo mismo baja impedancia de entrada. pero aguantan mas que el Fet por queel Fet se puede destruir por estática.











Transistor FET.
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta,esta polarizado inversamente.
            En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
            Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento decargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la...