Temas Variados
Páginas: 3 (528 palabras)
Publicado: 29 de octubre de 2012
|Nombre: Hagy Perez Perez |Matrícula: 2677829 |
|Nombre del curso:|Nombre del profesor: |
|Electrónica 1 |Omar Totolhua Paleta ||Módulo: |Actividad: |
|2 |Resumen|
|Fecha: 15/09/12 ||Bibliografía: |
|Boylestad|
Transistores bipolares de unión
Al periodo de 1904 a 1947 el bulo fue sin duda el dispositivo electrónico que más se desarrollo y tuvo ungran realce industrial de producción con la aparición de la radio y la televisión.
Construcción de transistores
Los transistores son dispositivos semiconductores que consisten de dos capas dematerial tipo n y una capa de tipo p, y se llaman transistor npn y los de 2 capas p y una n se llama transistor pnp.
[pic] [pic]
Operación del transistor
La operación básica deltransistor es que el espesor de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada lo que da como resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios.
Debido a que elmaterial tipo n es muy delgado y tiene baja conductividad, un número pequeño de estos portadores tomara la trayectoria de la resistencia hacia la terminal de la base.
[pic]
Si aplicamos la ley de...
|Nombre del curso:|Nombre del profesor: |
|Electrónica 1 |Omar Totolhua Paleta ||Módulo: |Actividad: |
|2 |Resumen|
|Fecha: 15/09/12 ||Bibliografía: |
|Boylestad|
Transistores bipolares de unión
Al periodo de 1904 a 1947 el bulo fue sin duda el dispositivo electrónico que más se desarrollo y tuvo ungran realce industrial de producción con la aparición de la radio y la televisión.
Construcción de transistores
Los transistores son dispositivos semiconductores que consisten de dos capas dematerial tipo n y una capa de tipo p, y se llaman transistor npn y los de 2 capas p y una n se llama transistor pnp.
[pic] [pic]
Operación del transistor
La operación básica deltransistor es que el espesor de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada lo que da como resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios.
Debido a que elmaterial tipo n es muy delgado y tiene baja conductividad, un número pequeño de estos portadores tomara la trayectoria de la resistencia hacia la terminal de la base.
[pic]
Si aplicamos la ley de...
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