tecnico

Centro de Estudio Tecnológicos Industrial y de Servicios no. 58 “Emiliano Zapata”
En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor encorte y saturación. Para una carga resistiva, el transistor pasará de corte a saturación. Para una carga resistiva, el transistor pasará de corte a saturación por la recta que va desde A hasta C, y desaturación a corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturación recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por eltramo CDA. Puede verse que este último paso lo hace después de una profunda incursión en la zona activa que podría fácilmente sobrepasar el límite de avalancha secundaria, con valor VCE muy superioral valor de la fuente (Vcc). 
Para proteger al transistor y evitar su degradación se utilizan en la práctica varios circuitos, que se muestran a continuación:

a) Diodo Zéner en paralelo con eltransistor (la tensión nominal zéner ha de ser superior a la tensión de la fuente Vcc). 
b) Diodo en anti paralelo con la carga RL.
c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Lasdos primeras limitan la tensión en el transistor durante el paso de saturación a corte, proporcionando a través de los diodos un camino para la circulación de la intensidad inductiva de la carga.
Enla tercera protección, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensión Vcc. Diseñando adecuadamente lared RC se consigue que la tensión en el transistor durante la conmutación sea inferior a la de la fuente, alejándose su funcionamiento de los límites por disipación y por avalancha secundaria. Cuando eltransistor pasa a saturación el condensador se descarga a través de RS.

El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta, donde vemos que con...