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4.1. ¿Qué es un transistor bipolar BJT?
Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base; entre sus principales funciones son; un buen amplificador y como elemento de conmutación.
4.2. ¿Cuáles son los tipos de BJT?
NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p .PNP; que cuenta con dos regiones p y una región n.
4.3. ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPNy PNP?
Es básicamente en su estructura interna, sea de mayor región n o p además en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la corriente por esta misma.
4.4. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN?
La configuración emisor común es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutación, por ende las características de entrada enun NPN es la relación que se tiene entre la corriente base (IB ) y el comportamiento de la tensión VBE este ultimo en función de IB
4.5. ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN?
Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en función del voltaje colector – emisor VCE
4.6. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?
Se tienen tres regiones y estas son:De corte ,Activa, De saturación.
4.7. ¿Qué es el beta (B) de los BJT?
Es la relación de la corriente de colector (IC) y la corriente de base, se llama ganancia de corriente en sentido directo.
4.8. ¿Cuál es la diferencia entre B, y la beta forzada (BF) de los BJT? El BF, es la relación de ICS
(corriente de colector en la saturación) y la IB, lo cual esta relación es cuando se analiza en elpunto de saturación.
4.9. ¿Qué es la transconductancia de los BJT?
La transconductancia (gm), viene a ser la relación de IC con VBE, lo cual es una constante para una representación o modelo de un BJT con generador de corriente.
4.10. ¿Qué es el factor de sobre excitación de los BJT?
También llamado factor de sobresaturación (ODF), es la relación entre IB eI BS
(corriente base en la región desaturación).
4.11. ¿Cuál es el modelo de conmutación de los BJT?
Estos modelos se pueden representar de dos formas:1 .Modelo con ganancia de corriente.2.Modelo con transconductancia.
4.12. ¿Cuál es la causa del tiempo de retardo en los BJT?
Aumento de la corriente del colector hasta el valor de ICS
de estado permanente
4.13. ¿Cuál es la causa del tiempo de almacenamiento en los BJT?
Cuandoel voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de base también cambia a –Ib2, la corriente d colector no cambia durante un tiempo ts es el tiempo de almacenamiento
4.14. ¿Cuál es la causa del tiempo de subida en los BJT?
El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por la capacitancia de la unión, que en el caso normal, la corriente de base es mayor que lanecesaria para saturar al transistor
4.15. ¿Cuál es la causa del tiempo de caída en los BJT?
Durante el tiempo de caída, el perfil de carga baja desde el perfil c hasta que se remueven todas las cargas.
4.16. ¿Cuál es el modo de saturación de los BJT?
Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector. El lasaturación, la corriente de colector permanece casi constante
4.17. ¿Qué es el tiempo de encendido de los BJT?
El tiempo de encendido o tiempo de activación, t en c, es la suma del tiempo de retardo con el tiempo de subida tr. T en c= td +tr
4.18. ¿Qué es el tiempo de apagado de los BJT?
El tiempo de apagado o tiempo de desactivación, t off , es la suma de almacenamiento ts y el tiempo de caídat}f . T apag=ts+tf
4.19. ¿Qué es una FBSOA de los BJT?
Durante las condiciones de activación y de estado activo, la temperatura promedio de la unión y la segunda avalancha limitan la capacidad de manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar las curvas FBSOA bajo las condiciones especificadas de prueba
4.20. ¿Qué es una RBSOA de los BJT?
Durante el tiempo de...