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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DISPOSITIVOS DE ENTRADA - SALIDA
PREVIO 3 MEMORIAS DE LECTURA – ESCRITURA SEMICONDUCTORAS, RAM`s

1- Explique las características principales de una memoria RAM y de un ejemplo de cada tipo. ( 1 PUNTO)

2- Simule en forma digital (entradas-salidas) la forma de operar del circuito de la figura 2, de la práctica que se realizará y describa lospasos a seguir para escribir y leer los datos. ( 1 PUNTO)

3- Describa las condiciones de operación del Flip-Flop que utilizará en la práctica para almacenar los datos y explique su funcionamiento. (1.5 PUNTOS)

4- Algunos CI`s RAM tienen terminales de entrada/salida comunes, ¿Qué circuito nos permite lograr esto y como lo hace? (1.5 PUNTOS)

5- ¿Cuántas terminales se requieren para la RAM“MCM6209C” de 64k x 4 , entrada/salida común y una entrada CS (chip select) ?. (2 PUNTOS)

6- ¿ Dibuje gráficamente como se implementará un habilitador general de la figura 2, para la práctica será necesario su armado, así es que contemple comprar los componentes necesarios para su implementación y funcionamiento. (1.5 PUNTOS)

7- ¿ Que causa que una memoria RAM sea de lectura destructiva, expliquey fundamente su respuesta? (1.5 PUNTOS)

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DISPOSITIVOS DE ENTRADA – SALIDA PRÁCTICA 3 MEMORIAS DE LECTURA – ESCRITURA SEMICONDUCTORAS, RAM`s
Objetivo de la práctica. Comprender la estructura y el funcionamiento interno de las memorias de lectura escritura, implementándose una memoria RAM de 2 x 2, utilizando para ello principalmente circuitos debaja y media escala de integración. Introducción. A las memorias de lectura - escritura semiconductoras se les conoce también como memorias RAM (Random Access Memory) en donde el tiempo de acceso para cualquier localidad es el mismo o sea es una constante, no importando que localidad se quiera accesar. Cabe hacer la aclaración que las memorias ROMs son también memorias de acceso aleatorio. Existendos tipos de memorias de lectura - escritura semiconductoras, las RAM estáticas y las RAM dinámicas, en las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable o flip - flop, el cual mantiene la información mientras este conectado a la fuente de alimentación, mientras que en las celdas de la memoria RAM dinámicas, el elemento de almacenamiento es la capacitancia parásita que existeentre el gate y el source de los transistores mosfet, por lo cual la información se mantendrá por algunos milisegundos sin degradación notable, teniéndose que efectuar a continuación el proceso de refresco, el cual consiste en recargar aquellas capacitancias que presenten un voltaje alto.Un ejemplo de una celda RAM estática a nivel transistor es la siguiente:
VDD

Columna dato T1 T2

Columnadato

T3 A B

T4

T5

T6

al amplificador sensor

línea de selección X

al amplificador sensor

Figura RAM.1.

Celda RAM a nivel transistor.

La celda estará integrada por los transistores T1, T2, T5 y T6, los cuales forman un flip flop, el cual mantendrá la información mientras la celda no este siendo seleccionada (es decir la línea de selección X está a un voltaje bajo), porlo que los transistores T3 y T4 estarán apagados y aislan a la celda, por otro lado los transistores T1 y T2 actúan como resistencias de carga de T5 y T6 respectivamente, además entre los transistores T5 y T6, uno estará apagado y el otro encendido, de esta forma se mantiene la información y se determina el dato almacenado en la celda, por convención nuestra, si queremos tener un uno almacenado eltransistor T6 estará encendido y viceversa si queremos tener un cero almacenado (T5 encendido y T6 apagado, por lo tanto en el nodo “B” habrá un voltaje alto y en el nodo “A” habrá un voltaje bajo, manteniéndose de esta manera la información que tiene guardada la celda).

Ahora bien para una operación de lectura o de escritura la línea de selección X de la celda deberá estar a un voltaje...