ANALISIS Y SIMULACIONES DE CIRCUITOS ELECTRICOS
Páginas: 3 (517 palabras)
Publicado: 17 de febrero de 2014
19_ de marzo del 2013
Universidad Veracruzana
Facultad de Ingeniería
Tarea 2: Transistores
TRANSISTOR
TIPOS
SIMBOLO
CONSTRUCCIÓN
CURVAS CARACTERISTICAS
FUNCIONAMIENTO
APLICACION1_Unijuntura (UJT)
NPN o PNP
se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad deimpurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura.
Sufuncionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensadorestá conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará rápidamente,y en el terminal de B1aparecerá un impulso de tensión......
Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlarel disparo de la puerta de TRIACS y SCR.
2_Bipolar (BJT)
NPN
PNP
CON NOMBRE DE TERMINALES
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor,la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductorestá conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector eninversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que...
Universidad Veracruzana
Facultad de Ingeniería
Tarea 2: Transistores
TRANSISTOR
TIPOS
SIMBOLO
CONSTRUCCIÓN
CURVAS CARACTERISTICAS
FUNCIONAMIENTO
APLICACION1_Unijuntura (UJT)
NPN o PNP
se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad deimpurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura.
Sufuncionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensadorestá conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará rápidamente,y en el terminal de B1aparecerá un impulso de tensión......
Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlarel disparo de la puerta de TRIACS y SCR.
2_Bipolar (BJT)
NPN
PNP
CON NOMBRE DE TERMINALES
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor,la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductorestá conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector eninversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que...
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